1. [1] N. Lindert, L. Chang, Y.-K. Choi, E. H. Anderson, W.-C. Lee, T.-J. King, J. Bokor, and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 22, 487 (2001).
2. [2] C. C. Wu, D. W. Lin, A. Keshavarzi, C. H. Huang, C. T. Chan, C. H. Tseng, C. L. Chen, C. Y. Hsieh, K. Y. Wong, M. L. Cheng, T. H. Li, Y. C. Lin, L. Y. Yang, C. P. Lin, C. S. Hou, H. C. Lin, J. L. Yang, K. F. Yu, M. J. Chen, T. H. Hsieh, Y. C. Peng, C. H. Chou, C. J. Lee, C. W. Huang, C. Y. Lu, F. K. Yang, H. K. Chen, L. W. Weng, P. C. Yen, S. H. Wang, S. W. Chang, S. W. Chuang, T. C. Gan, T. L. Wu, T. Y. Lee, W. S. Huang, Y. J. Huang, Y. W. Tseng, C. M. Wu, E. Ou-Yang, K. Y. Hsu, L. T. Lin, S. B. Wang, T. M. Kwok, C. C. Su, C. H. Tsai, M. J. Huang, H. M. Lin, A. S. Chang, S. H. Liao, L. S. Chen, J. H. Chen, P. S. Lim, X. F. Yu, S. Y. Ku, Y. B. Lee, P. C. Hsieh, P. W. Wang, Y. H. Chiu, S. S. Lin, H. J. Tao, M. Cao, and Y. J. Mii, 2010 International Electron Devices Meeting (San Francisco, 2010) p. 27.1.1.
3. [3] R. Kuroda, Y. Nakao, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi, Jpn J. Appl. Phys. 53, 04EC04 (2014).
4. [4] A. N. Hattori, K. Hattori, S. Takemoto, H. Daimon, and H. Tanaka, Surf. Sci. 644, 86 (2016).
5. [5] G. Wulff, Z. Kristallogr. Cryst. Mater. 34, 449 (1901).