Dislocation-Induced Deviation of Phosphorus-Diffusion Profiles in Silicon

Author:

Joshi M. L.,Dash S.

Publisher

IBM

Subject

General Computer Science

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1. Phase diagram study of the Si–P system in Si-rich region;Journal of Materials Research;2011-06-07

2. Theory of the screened Coulomb field generated by impurity ions in semiconductors;Physical Review B;2006-04-19

3. Dopants;Computational Microelectronics;2004

4. Penetration Depth of Diffusion-Induced Dislocations;Japanese Journal of Applied Physics;1983-07-20

5. The effect of strain‐induced band‐gap narrowing on high concentration phosphorus diffusion in silicon;Journal of Applied Physics;1979-02

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