Inverse RIE Lag during Silicon Etching in SF6 + O2 Plasma
Author:
Affiliation:
1. Department of Physics, Kaunas University of Technology, 73 K. Donelaičio Str., LT-44249 Kaunas, Lithuania
Publisher
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences
Subject
General Physics and Astronomy
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Michaelis–Menten kinetics during dry etching processes;PLOS ONE;2024-03-01
2. Assessing neutral transport mechanisms in aspect ratio dependent etching by means of experiments and multiscale plasma modeling;Plasma Sources Science and Technology;2023-06-01
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