Transmission electron microscopy characterization of Au/Pt/Ti/Pt/GaAs ohmic contacts for high power GaAs/InGaAs semiconductor lasers

Author:

ŁASZCZ A.,CZERWINSKI A.,RATAJCZAK J.,SZERLING A.,PHILLIPP F.,VAN AKEN P.A.,KĄTCKI J.

Publisher

Wiley

Subject

Histology,Pathology and Forensic Medicine

Reference10 articles.

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2. Platinum metals in ohmic contacts to III-V semiconductors;Ivey;Platinum Metals Rev.,1999

3. Amorphous phase formation and initial interfacial reaction in the platinum/GaAs system;Ko;J. Appl. Phys.,1992

4. High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers;Kosiel;Acta Applicata,2007

5. Thermal degradation mechanism of Ti/Pt/Au Schottky contact to n-type GaAs;Lee;J. Appl. Phys.,1997

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