Influence of PCB Stray Inductance and Drive Conditions of Cascode Type Power Device on a Versatile Package
Author:
Affiliation:
1. Living Environment Systems Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
2. Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation
3. Tokyo Metropolitan University
Publisher
Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan)
Subject
Electrical and Electronic Engineering,Industrial and Manufacturing Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias/142/6/142_454/_pdf
Reference26 articles.
1. (1) 森 朋彦：「GaNパワーデバイスの最新動向—縦型GaN, 横型GaN—」, 車載用パワーエレクトロニクスの最新技術, No. 05-17, pp. 47-51 (2017)
2. (2) 小林由布子：「GaNパワーデバイスの現状」, グリーンエレクトロニクス, No. 18, pp. 4-18 (2015)
3. (3) 上杉 勉：「GaNパワーデバイス」, 車載用パワーエレクトロニクスの最新技術, No. 03-15, pp. 60-65 (2015)
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5. (5) H. Shimizu, S. Akiyama, N. Yokoyama, H. Inomata, H. Kobayashi, A. Fujiki, and T. Iijima: “Controllability of Switching Speed and Loss for SiC JFET/Si MOSFET Cascode with External Gate Resistor”, The 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), pp. 221-224 (2014)
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