Numerical modeling of total dose effects on CD4007 MOSFET during switched-bias irradiation

Author:

Sambuco Salomone L.,Garcia-Inza M.,Lipovetzky J.,Cassani M.V.,Redin E.,Faigón A.,Carbonetto S.

Funder

Agencia Nacional De Promoción Científica Y Tecnológica

Universidad de Buenos Aires Secretaría de Ciencia y Técnica

Publisher

Elsevier BV

Reference39 articles.

1. RADFETs: a review of the use of metal-oxide-silicon devices as integrating dosimeters;Holmes-Siedle;Radiat. Phys. Chem.,1986

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3. Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter;Asensio;Sensors Actuators A,2006

4. Application of p-channel power VDMOSFET as a high radiation doses sensor;Pejovic;IEEE Trans. Nucl. Sci.,2015

5. Particle detection and classification using commercial off the shelf CMOS image sensors;Pérez;Nucl. Inst. Methods Phys. Res. A,2016

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