Characterization methods for FD-SOI MOSFET
Author:
Publisher
Elsevier
Reference52 articles.
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2. MOSFET channel length: extraction and interpretation;Taur;IEEE Trans. Electron Devices,2000
3. The inversion layer of subhalf-micrometer n- and p-channel MOSFET's in the temperature range 208-403 K;Wildau;IEEE Trans. Electron Devices,1993
4. Relationship between empirical and theoretical mobility models in silicon inversion layers;Reichert;IEEE Trans. Electron Devices,1996
5. Temperature dependence of scattering in the inversion layer;Hartstein;Surf. Sci.,1980
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