Visible room-temperature emission and excitation photoluminescence in In- and As-co-implanted SiO2 films

Author:

Tyschenko Ida,Batalov Rafael,Shmelev Artemii,Si Zhongbin,Volodin Vladimir,Popov Vladimir

Publisher

Elsevier BV

Reference35 articles.

1. Chemical and electrical behavior of ion implanted SiO2 films;Monfret,1971

2. Ion beam modification of the dielectric properties of thin silicon dioxide films;Kar;Appl. Surf. Sci.,1991

3. Effect of ion dose and annealing mode on photoluminescence from SiO2 implanted with Si ions;Kachurin;Semiconductors,1998

4. Properties of SiO2 electret films charged by ion implantation for MEMS-based energy harvesting systems;Mescheder;J. Micromech. Microeng.,2009

5. Effects of silicon negative ion implantation in SiO2;Vishwakarma;AIP Conf. Proc.,1942

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