1. M. Yokoyama, T. Yasuda, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Sugiyama, Y. Nakano, M. Takenaka, S. Takagi, in: 2009 Symposium on VLSI Technology, 2009, pp. 242–243.
2. L. Czornomaz, N. Daix, K. Cheng, D. Caimi, C. Rossel, K. Lister, M. Sousa, J. Fompeyrine, in: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 2013, pp. 2.8.1–2.8.4.
3. L. Czornomaz, N. Daix, D. Caimi, V. Djara, E. Uccelli, C. Rossel, C. Marchiori, M. Sousa, J. Fompeyrine, in: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2014, pp. 3.4.1–3.4.2.
4. K. Cheng, A. Khakifirooz, N. Loubet, S. Luning, T. Nagumo, M. Vinet, Q. Liu, A. Reznicek, T. Adam, S. Naczas, P. Hashemi, J. Kuss, J. Li, H. He, L. Edge, J. Gimbert, P. Khare, Y. Zhu, Z. ZHU, A. Madan, N. Klymko, S. Holmes, T. Levin, A. Hubbard, R. Johnson, M. Terrizzi, S. Teehan, A. Upham, G. Pfeiffer, T. Wu, A. Inada, F. Allibert, B. Nguyen, L. Grenouillet, Y. Le Tiec, R. Wacquez, W. Kleemeier, R. Sampson, R. Dennard, T. Ning, M. Khare, G. Shahidi, B. Doris, in: 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 2012, pp. 18.1.1–18.1.4.
5. S. Yadav, K.-H. Tan, K. H. Goh, S. Subramanian, K. L. Low, N. Chen, B. Jia, S.-F. Yoon, G. Liang, X. Gong, Y.-C. Yeo, in: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 2015, pp. 2.3.1–2.3.4.