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Statistical modeling of degradation behavior in Split-Gate Non-Volatile memory devices

  • Published:2024-01 Issue: Volume:211 Page:108817
  • ISSN:0038-1101
  • Container-title:Solid-State Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

Mei S.,Luo L.,Shubhakar K.,Raghavan N.,Pey K.L.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference20 articles.

1. International Symposium on VLSI Technology;Kim;Systems and Applications (VLSI-TSA),2008

2. M. Tadayonil, S. Martinie, O. Rozeau, S. Hariharanl , C. Raynaud and N. Do, International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), (2016).

3. Digest of Technical Papers;Mih,2000
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