Atomic-scale modeling of double-gate MOSFETs using a tight-binding Green’s function formalism

Author:

Bescond M.,Autran J.L.,Munteanu D.,Lannoo M.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference16 articles.

1. Nanoscale device modeling: the Green’s function method;Datta;Superlattices Microstruct.,2000

2. Electronic transport in mesoscopic systems;Datta,1997

3. Point defects in semiconductors;Lannoo,1981

4. Two-dimensional quantum mechanical modeling of nanotransistors;Svizhenko;J. Appl. Phys.,2002

5. Simulating quantum transport in nanoscale transistors: real versus mode-space approaches;Venugopal;J. Appl. Phys.,2002

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