Design of SOI FinFET on 32nm technology node for low standby power (LSTP) operation considering gate-induced drain leakage (GIDL)

Author:

Cho Seongjae,Lee Jung Hoon,O’uchi Shinichi,Endo Kazuhiko,Masahara Meishoku,Park Byung-Gook

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference15 articles.

1. Fundamentals of modern VLSI devices;Taur,1998

2. Fundamentals of modern VLSI devices;Taur,1998

3. Short-channel effects in SOI MOSFETs;Veeraraghavan;IEEE Trans Electron Dev,1989

4. A highly threshold voltage-controllable 4T FinFET with an 85-nm-thick Si-fin channel;Liu;IEEE Electron Dev Lett,2004

5. ATLAS user’s manual. California: Silvaco International; 2008.

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