Multi-layer high-κ interpoly dielectric for floating gate flash memory devices

Author:

Zhang Lu,He Wei,Chan Daniel S.H.,Cho Byung Jin

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference11 articles.

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3. Thickness scaling limitation factors of ONO interpoly dielectric for nonvolatile memory devices

4. Chen YY, Li TH, Kin KT, Chien CH, Lou JC. In: IEEE conference on emerging tech – nanoelectron 2006. p. 463.

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