Gate dielectrics on strained-Si/SiGe heterolayers

Author:

Maiti C.K.,Samanta S.K.,Chatterjee S.,Dalapati G.K.,Bera L.K.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference104 articles.

1. Applications of silicon–germanium heterostructure devices;Maiti,2001

2. Strained silicon heterostructures: materials and devices;Maiti,2001

3. High-performance strained-SOI CMOS devices using thin film SiGe-on-insulator technology;Mizuno;IEEE Trans. Electron Dev.,2003

4. Kinetics and mechanism of oxidation of SiGe: dry versus wet oxidation;Legoues;Appl. Phys. Lett.,1989

5. Anomalous strain relaxation in SiGe films and superlattices;LeGoues;Phys. Rev. B,1991

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