Spin extraction from a semiconductor through a space-charge layer and critical current density

Author:

Ghosh Joydeep

Publisher

Elsevier BV

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference24 articles.

1. Stacked nanosheet gate-all-around transistor to enable scaling beyond FinFET;Loubet,2017

2. Power aware FinFET and lateral nanosheet FET targeting for 3 nm CMOS technology;Yakimets,2017

3. All-electric all-semiconductor spin field-effect transistors;Chuang;Nat. Nanotechnol.,2015

4. Intersubband spin relaxation reduction and spin lifetime enhancement by strain in SOI structures;Ghosh;Microelectron. Eng.,2015

5. Dependence of spin lifetime on spin injection orientation in strained silicon films;Ghosh,2015

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