Measurement of the electron–hole pair creation energy in a 4H-SiC p-n diode

Author:

Gsponer AndreasORCID,Knopf MatthiasORCID,Gaggl Philipp,Burin JürgenORCID,Waid Simon,Bergauer ThomasORCID

Funder

European Regional Development Fund

Technische Universität Wien Bibliothek

Agencia Estatal de Investigación

FFG

Publisher

Elsevier BV

Reference29 articles.

1. Silicon carbide and its use as a radiation detector material;Nava;Meas. Sci. Technol.,2008

2. SiC detectors: A review on the use of silicon carbide as radiation detection material;De Napoli;Front. Phys.,2022

3. Time resolution of the 4H-SiC PIN detector;Yang;Front. Phys.,2022

4. Fast timing with silicon carbide low gain avalanche detectors;Barletta,2022

5. High-resolution alpha spectrometry using 4H-SiC detectors: A review of the state-of-the-art;Mandal;IEEE Trans. Nucl. Sci.,2023

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