The photoluminescence spectra of N+, Zn+ implanted GaAs1-xPx at 1.8

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The photoluminescence spectra of N+, Zn+ implanted GaAs1-xPx at 1.8–4.2K

Published:1984-12 Issue: Volume:31-32 Page:454-456
ISSN:0022-2313
Container-title:Journal of Luminescence
language:en
Short-container-title:Journal of Luminescence

Author:

Jun-ying Xu,Liang-hui Chen,Ji-shu Gong,Zhong-ying Xu,Yu-zhang Li,Wei-hua Zhuang,Jing-zong Xu,Ling-xu Wu

Publisher

Elsevier BV

Subject

Condensed Matter Physics,Biochemistry,General Chemistry,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Biophysics

Reference2 articles.

1. Recombination processes involving Zn and N inGaAs1−xPx

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Chapter 1 III-V Compounds;Semiconductors and Semimetals;1988

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