Monitoring of Ion Purity in High-energy Implant via RBS
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference9 articles.
1. Dead layer on silicon p-i-n diode charged-particle detectors;Wall;NIM A,2014
2. Energy Response of Silicon surface-barrier Particle Detectors to Slow Heavy Ions;Ratkowski;NIM,1975
3. Random stopping power and energy straggling of 16O ions into amorphous Si target;Araujo;Nuc. Inst. & Meth. B,2002
4. Silicon detector response to heavy ions at energies of 1-2 MeV/amu;Weijers;Nuc. Inst. & Meth. B,2002
5. N.P. Barradas, et. al., Stopping power of different ions in Si measured with a bulk sample method and Bayesian inference data analysis.
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