Analyse d'une classe de precipites semicoherents fibreux: Cristallographie de l'interface et champ de deformation
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference23 articles.
1. Mise en evidence d'un nouveau type de défaut réticulaire dans V3Si par microscopic électronique à haute tension (1000 kV)
2. Ordering in discotic liquid crystals
3. Electron microscopic investigation of a V5Si3needle-shaped precipitate in V3Si (A15 structure)
4. Application de la theorie de la symetrie a l'etude de la morphologie de precipites de V5Si3 dans une matrice de V3Si
Cited by 8 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Atomic scale observation of the displacement fields generated by the intrinsic defects of {111}Ni3AI/(0 1 0)Ni3Nb close-packed interfaces;Philosophical Magazine A;2000-10
2. Mise en évidence d'une phase métastable dans un monocristal Al2Cu;Comptes Rendus de l'Académie des Sciences - Series IV - Physics;2000-03
3. Growth of aluminum nitride on (111) silicon: Microstructure and interface structure;Journal of Applied Physics;1998-02-15
4. Structural ledges at precipitate/matrix interfaces in a (Ni, Co) superalloy: atomic structures and elastic fields;Ultramicroscopy;1993-06
5. Electron microscopy of transformation dislocations at interphase boundaries;Metallurgical Transactions A;1991-06
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