1. A new empirical nonlinear model for HEMT and MESFET devices;Angelov;IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,1992
2. 12W/mm power density AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate;Chini;Electronics Letters,2004
3. A nonlinear GaAs FET model for use in the design of output circuits for power amplifiers;Curtice,1985
4. Caractérisation et modélisation de dispositif de la filière Nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences;Defrance,2007
5. Etude de la fiabilité d’un amplificateur de puissance classe B à base de HEMT GaN, en bande S;Fonder;17èmes Journées Nationales Microondes,2011