Energy and momentum relaxation of charge carriers in Ge and Si under uniaxial stress
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Condensed Matter Physics,General Materials Science,General Chemistry
Reference34 articles.
1. Transport Properties of a Many-Valley Semiconductor
2. Elastoresistance inp-Type Ge and Si
3. Piezowiderstand von p-Germanium
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1. MICROWAVE EXPERIMENTS INCLUDING AVALANCHE;Le Journal de Physique Colloques;1981-10
2. Correct form of energy-balance equation for intervalley and intersubband scattering in semiconductors;Physical Review B;1979-04-15
3. Silicon (Si), piezo- and elastoresistance coefficients;Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties
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