Advanced characterization of SiC devices by optical beam induced current (OBIC): Experimental and simulation results

Author:

Planson DominiqueORCID,Tournier Dominique,Sonneville Camille,Bevilacqua Pascal,Viet Phung Luong,Morel Hervé

Publisher

Elsevier BV

Reference21 articles.

1. Optimum Semiconductors for high-power electronics;Shenai;IEEE Trans. Electron. Dev.,1989

2. Comparison of high voltage and high temperature performances of wide bandgap semiconductors for vertical power devices;Raynaud;Diam. Relat. Mater.,2010

3. Dynamic Characteristics of large current capacity module using 16-kV Ultrahigh voltage SiC Flip-type n-channel IE-IGBT;Mizushima;Proc. Int. Symp. Power Semicond. Dev. IC’s,2014

4. A survey of wide bandgap power semiconductor devices;Millán;IEEE Trans. Power Electron. Year,2014

5. Development of ultrahigh-voltage SiC devices;Fukuda;IEEE Trans. Electron. Dev.,2015

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