Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach

Author:

Kang Kyung-Han,Eun Taihee,Jun Myong-Chul,Lee Byeong-Joo

Funder

Pohang Steel Company (POSCO)

National Research Foundation

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference104 articles.

1. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices;Bhatnagar;IEEE Trans. Electron Devices ED,1993

2. SiC power devices;Chow;Mater. Res. Soc. Symp. Proc.,1996

3. Silicon carbide and gallium nitride Rf power devices;Weitzel;Mater. Res. Soc. Symp. Proc.,1998

4. High voltage silicon carbide devices;Baliga;Mater. Res. Soc. Symp. Proc.,1998

5. Silicon carbide high frequency devices;Weitzel;Mater. Sci. Forum,1998

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