Three-step growth of AlN films on sapphire substrates by metal nitride vapor phase epitaxy
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference59 articles.
1. An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres;Taniyasu;Nature,2006
2. The 2020 UV emitter roadmap;Amano;J. Phys. D-Appl. Phys.,2020
3. Experimental observation of high intrinsic thermal conductivity of AlN;Cheng;Phys. Rev. Mater.,2020
4. Demonstration of AlN Schottky Barrier Diodes With Blocking Voltage Over 1 kV;Fu;IEEE Electron Device Lett.,2017
5. Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications;Yu;J. Mater. Chem. C,2021
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