A comparative study on the growth of germanium–silicon single crystals grown by the vertical Bridgman and axial heat processing techniques

Author:

Dario Aidin,Sicim Hasan Ozgen,Balikci Ercan

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference31 articles.

1. Phonon Spectra of Ge-Si Alloys

2. High quality, relaxed SiGe epitaxial layers for solar cell application

3. Materials for thermoelectric energy conversion

4. CRC Handbook of Thermoelectrics;Vining,1995

5. M. Jutzi, M. Berroth, SiGe-based photodetectors for optical communications, in: E. Kasper, K. Lyutovich (Eds.), Properties of Silicon Germanium and SiGe: Carbon, INSPEC, London, 2000, p. 342.

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