New type blue-light emitting diode using epitaxial ZnS films grown on GaAs by MOVPE
Author:
Publisher
Elsevier
Reference10 articles.
1. ZnS blue‐light‐emitting diodes with an external quantum efficiency of 5×10−4
2. K. Kurisu and T. Taguchi, in: Proceedings of the 4th International Workshop on Electroluminescence, Tottori, Japan (1988) p. 367.
3. Low resistivity Al-doped ZnS grown by MOVPE
4. Electrical and optical properties of donor doped ZnS films grown by low-pressure MOCVD
5. Growth and properties of iodine-doped ZnS films grown by low-pressure MOCVD using ethyliodine as a dopant source
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