Phosphorus doping in molecular beam epitaxial grown silicon and silicon/germanium using a GaP decomposition source
Author:
Publisher
Elsevier
Reference12 articles.
1. An Overview of Doping Strategies in Si:MBE
2. A comparative study of heavy boron doping in silicon and Si1−x Gex layers grown by molecular beam epitaxy
3. Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxy growth
4. Low‐temperature Si molecular beam epitaxy: Solution to the doping problem
5. Modulation-doped superlattices with delat layers in silicon
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