TRAPS AT INTERFACES BETWEEN GaAs n-TYPE LPE LAYERS AND DIFFERENT SUBSTRATES
Author:
Publisher
Elsevier
Reference8 articles.
1. Deep-impurity-level spectroscopy at the GaAs epilayer/substrate interface, using a new constant-capacitance TSCAP method
2. Stability of performance and interfacial problems in GaAs MESFET's
3. Photo-f.e.t. method: high-resolution deep-level measurement technique using a m.e.s.f.e.t. structure
4. L.M.F. Kaufmann and K. Heime, in: Proc. 8th Intern. Conf. on Solid State Devices, Tokyo, 1976.
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