Investigation of the relation between stress evolution and surface deformations in high dose MeV energy He implanted Si
Author:
Publisher
Elsevier
Reference14 articles.
1. Stress model for the wrinkling of ion-implanted layers
2. Experimental verification of the stress model for the wrinkling of ion-implanted layers
3. SENSITIVE TECHNIQUE FOR STUDYING ION‐IMPLANTATION DAMAGE
4. X-ray study of lateral strains in ion-implanted silicon
5. C. A. Volkert, in Beam-Solid Interactions: Physical Phenomena, MRS Symposia Proceedings, edited by J. A. Knapp, P. Borgesen and R. A. Zuhr (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1990), p. 635.
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