Atomic incorporation efficiencies for strained superlattice structures grown by metalorganic vapour phase epitaxy

Author:

Lutgen S.,Marschner T.,Stolz W.,Göbel E.O.,Tapfer L.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference30 articles.

1. Proc. 13th Intern. Semiconductor Laser Conf.,1992

2. Growth and characterization of InGaAs/GaAsP strained layer superlattices

3. Proc. Europ. Mater. Res. Soc. Symp. on Semiconductor Materials for Optoelectronic Devices, OEIC's and Photonics;Lutgen,1993

4. Pseudomorphic InGaAs‐GaAsP quantum well modulators on GaAs

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