Electrical characterization and alloy scattering measurements of LPE GaxIn1-xAs/InP for high frequency device applications

Author:

Oliver James D.,Eastman Lester F.,Kirchner Peter D.,Schaff William J.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference18 articles.

1. NSF Meeting on Optical Communications;Gammel,1981

2. Velocity‐field characteristics of Ga1−xInxP1−yAsyquaternary alloys

3. Double heterostructure Ga0.47In0.53As MESFETs with submicron gates

4. Proc. 3rd Intern. Symp. on GaAs and Related Compounds;Hicks,1971

5. High purity LPE InP

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