Heavily Se spike-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference13 articles.
1. Delta- (°-) doping in MBE-grown GaAs: Concept and device application
2. The delta-doped field-effect transistor (δFET)
3. Subband physics for a “realistic” δ-doping layer
4. Propriétés électroniques quasi-bidimensionnelles de couches épitaxiales de GaAs à dopage δ
5. Spatial localization and diffusion of atomic silicon in delta-doped GaAs
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Effect of Al‐rich surface on Se δ‐doped GaAs grown by low‐pressure metalorganic chemical vapor deposition;Applied Physics Letters;1996-09-23
2. Effect of As Pressure on Se \mbδ-Doped in GaAs by Molecular Beam Epitaxy;Japanese Journal of Applied Physics;1995-09-15
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