AlGaAs burying growth for InGaAsP/GaAs buried heterostructure lasers by liquid-phase epitaxy
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference16 articles.
1. Buried-heterostructure AlGaAs lasers
2. A new lateral selective‐area growth by liquid‐phase epitaxy: The formation of a lateral double‐barrier buried‐heterostructure laser
3. CW electrooptical properties of InGaAsP(λ = 1.3 µm) buried-heterostructure lasers
4. 1.3 µm buried-heterostructure lasers on p-type InP substrates
5. InGaAsP/InGaP buried heterostructure lasers at 810 nm
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