Si1-xGex⧸sapphire structure fabricated by molecular beam epitaxy
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics
Reference5 articles.
1. K. Yamazaki, Y. Itoh, A. Wada, K. Morimoto and Y. Tomita, in: IEDM 1990 Tech. Digest, p.599.
2. Two-dimensional simulation and measurement of high-performance MOSFETs made on a very thin SOI film
3. Development of a new MBE growth method for fabrication of high quality, double epitaxial Si/γ-Al2O3/Si structures
4. NMOSFET characteristics on a double hetero-epitaxial Si/γ-Al2O3/Si structure fabricated by a new MBE growth method
5. p-i-n photodiodes made in laser-recrystallized silicon-on-insulator
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