Study of dopant-dependent band gap narrowing in compound semiconductor devices

Author:

Palankovski V,Kaiblinger-Grujin G,Selberherr S

Publisher

Elsevier BV

Subject

Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science

Reference19 articles.

1. Doping in III-V Semiconductors;Schubert,1993

2. Measurements of bandgap narrowing in Si bipolar transistors;Slotboom;Solid-State Electron.,1976

3. Unified apparent bandgap narrowing in n- and p-type silicon;Klaassen;Solid-State Electron.,1992

4. ATLAS User’s Manual, SILVACO International, 2nd ed, Santa Clara, USA, March 1994.

5. Integrated Systems Engineering AG, DES515-lSE, ISE TCAD Release 5.0, Part 16, ISE, Zurich, Switzerland, March 1998.

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