GaAs planar doped barrier diodes
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Mechanical Engineering,Mechanics of Materials,Condensed Matter Physics,General Materials Science
Reference15 articles.
1. Unified Mechanism for Schottky-Barrier Formation and III-V Oxide Interface States
2. E.R. Weber, et al., Proceedings of the ICPS-19, p.705, Warsaw, 1988.
3. W.J. Moroney, US Patent 3, p. 711, 1973.
4. Control of Schottky barrier height using highly doped surface layers
5. A majority‐carrier camel diode
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1. Electrical isolation, thermal stability and rf loss in a multilayer GaAs planar doped barrier diode structure bombarded by H+ and Fe+ ions;Applied Physics Letters;2004-04-19
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