Gasphasenabscheidung von binären Bor-Kohlenstoff-Phasen bei Substrattemperaturen von 900 bis 1800 °C II. Rhomboedrisches Borcarbid
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference12 articles.
1. Gasphasenabscheidung von binären Bor-Kohlenstoff-Phasen bei Substrattemperaturen von 900 bis 1800 °C I. Tetragonales und orthorhombisches Borcarbid
2. Das B-C-system im kinetischen bildungsbereich: Pyrolytische bildung kohlenstoffreicher B-C-Phasen
3. The High Temperature Vaporization Properties of Boron Carbide and the Heat of Sublimation of Boron1
4. The Decomposition Pressure of Boron Carbide and the Heat of Sublimation of Boron1
5. Darstellung eines rhomboedrischen Borcarbids der Zusammensetzung B13C2
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1. Thermodynamic stability of Li–B–C compounds from first principles;Physical Chemistry Chemical Physics;2023
2. The B-rich side of the B–C phase diagram;Calphad;2014-03
3. By Chemical Vapor Deposition (CVD);Inorganic Reactions and Methods;2007-05-29
4. Preparation of polycrystalline boron carbide thin films at room temperature by pulsed ion-beam evaporation;Applied Physics Letters;2002-02-18
5. High-Pressure, High-Temperature Synthesis and Characterization of Boron Suboxide (B6O);Chemistry of Materials;1998-05-15
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