Influence of the topology on thermal dissipation in high power density GaAs devices

Author:

Camps T,Marty A,Tasselli J,Bailbe J.P,Souverain P

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference11 articles.

1. Transistors et Circuits Hyperfréquences de Puissance: Etat de l'art et perspectives, Sciences et Défense;Pons,1991

2. Very high-power-density CW operation of GaAs/AlGaAs microwave heterojunction bipolar transistors;Bayraktaroglu;IEEE Electron Dev. Lett.,1993

3. High-power efficiency X-band AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors with undercut collectors;Chan;IEEE Microw. Guided Wave Lett.,1997

4. A>400 GHz Fmax transfered-substrate heterojunction bipolar transistor IC technology;Lee;IEEE Electron Dev. Lett.,1998

5. Muracami S, et al. A 3.6 W 26 GHz HBT power amplifier. M.T.T Symposium 1996

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