Accurate RF modeling of nanoscale MOSFET using BSIM6 including low levels of inversion

Author:

Chalkiadaki M.-A.,Enz C.C.

Funder

Schweizerischer Nationalfonds zur Förderung der Wissenschaftlichen Forschung

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference35 articles.

1. Y.S. Chauhan, S. Venugopalan, M.A.U. Karim, S. Khandelwal, N. Paydavosi, P. Thakur, A. Niknejad, C. Hu, BSIM – industry standard compact MOSFET models, in: European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2012.

2. Compact Model Coalition, 2014, URL 〈http://www.si2.org/?page=1685〉.

3. High-frequency scalable compact modelling of Si RF-CMOS technology;Bazigos;Phys. Status Solidi (c),2008

4. M. Yang, P. Ho, C. Lin, T. Yeh, Y. Wang, S. Voinigescu, M. Tazlauanu, Y. Chia, K. Young, BSIM4 high-frequency model verification for 0.13μm RF-CMOS technology, in: 2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, vol. 2, ISSN 0149-645X, June 2004, pp. 1049–1052, http:dx.doi.org/10.1109/MWSYM.2004.1339164.

5. The New CMC Standard Compact MOS Model PSP: Advantages for RF Applications;Scholten;IEEE Journal of Solid-State Circuits,2009

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