An analytical subthreshold I–V model of SiC MOSFETs
Author:
Funder
National Natural Science Foundation of China
Publisher
Elsevier BV
Reference35 articles.
1. Status and prospects for SiC power MOSFETs;Cooper;IEEE Trans. Electron Devices,2002
2. Short-channel effects in SiC MOSFETs based on analyses of saturation drain current;Tachiki;IEEE Trans. Electron Devices,2021
3. Analytical model of 6H-SiC MOSFET;Kumar;Microelectron. Eng.,2003
4. Surface-potential-based silicon carbide power MOSFET model for circuit simulation;Shintani;IEEE Trans. Power Electron.,2018
5. Short-circuit failure model of SiC MOSFET including the interface trapped charges;Zhou;IEEE J. Emerg. Sel. Top. Power Electron.,2020
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