Improving dynamic performance for split-gate trench power MOSFETs using variable vertical doping profile

Author:

Wu Lijuan,Liu Qing,Deng Gaoqiang,Liu Mengjiao,Song Xuanting,Zhang Banghui,Qiu Tao,Wang Jun

Publisher

Elsevier BV

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials,Biomaterials

Reference20 articles.

1. Linear Networks and Systems;Chen,1993

2. The trench power MOSFET: Part I—history, technology, and prospects;Williams;IEEE Trans. Electron. Dev.,2017

3. SiC double-trench MOSFETs with embedded;Zhou;MOS-Channel Diode,2020

4. Study of the SOI LDMOS with low conduction loss and less gate charge;Guo;IEEE Trans. Electron. Dev.,2018

5. Low on-resistance SOI dual-trench-gate MOSFET;Luo;IEEE Trans. Electron. Dev.,2012

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