Gallium antimonide device related properties

Author:

Milnes A.G.,Polyakov A.Y.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference142 articles.

1. Thermodynamic analysis and phase equilibria calculations for the InSb and GaSb systems;Sharma;J. Electron. Mater.,1987

2. Heats of formation and temperatures and heats of fusion of compounds A(III) B(V);Sirota,1966

3. Electrical and optical studies in gallium antimonide;Nakashima;Jap. J. appl. Phys.,1981

4. Reverse characteristics of GaSb tunnel diodes;Nanavati,1966

5. Band structure of GaAs, GaP, InP, and AlSb: the k.p method;Pollak;J. Phys. Soc. Japan,1966

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