Analog characteristics of drain engineered submicron MOSFETs for mixed-signal applications-Reference-Cited by-同舟云学术

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Analog characteristics of drain engineered submicron MOSFETs for mixed-signal applications

Published:1995-11 Issue:11 Volume:38 Page:1857-1859
ISSN:0038-1101
Container-title:Solid-State Electronics
language:en
Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

Chen Hung-Sheng,Teng Chih Sieh,Zhao Ji,Moberly Larry,Lahri Rajeeva

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference7 articles.

1. Deep-submicrometer large-angle-tilt implanted drain (LATID) technology

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Nanoscale CMOS;Proceedings of the IEEE;1999-04

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