Fracture surface analysis and quantitative characterization of gallium arsenide III-V semiconductors using fractography

Author:

Moulins AnthonyORCID,Dugnani Roberto,Zednik Ricardo J.ORCID

Funder

Mitacs

École de technologie supérieure

NSERC

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering,General Materials Science

Reference45 articles.

1. Gallium arsenide. Key;Blakemore;Pap. Phys.,1987

2. Gallium arsenide as a mechanical material;Hjort;J. Micromech. Microeng.,1994

3. Solar cell efficiency tables;Green;Prog. Photovoltaics Res. Appl.,2015

4. High-efficiency GaAs thin film solar cells by peeled film technology;Konagai;J. Cryst. Growth,1978

5. Dicing of gallium arsenide (GaAs) wafers with the laser MicroJet ® challenges, improvements and safety issues;Dushkina;Engineering,2015

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