High resistivity layer formation in InP by ion implantation for ohmic contact characterization
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Surfaces, Coatings and Films,Condensed Matter Physics,Instrumentation
Reference5 articles.
1. Transmission electron microscopy of Au‐based Ohmic contacts ton‐AlxGa1−xAs
2. Interfacial Structure Studies of Gold‐Tin‐Aluminum Metallizations on GaAlAs
3. On the formation of binary compounds in Au/InP system
4. Metallurgical Behavior of Gold‐Based Ohmic Contacts to the InP / InGaAsP Material System
5. Cathodoluminescence evaluation of dark spot defects in InP/InGaAsP light‐emitting diodes
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