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Direct wide band gap material: a Hartree–Fock study of α-Be3N2

  • Published:2001-05 Issue:1 Volume:21 Page:95-100
  • ISSN:0927-0256
  • Container-title:Computational Materials Science
  • language:en
  • Short-container-title:Computational Materials Science

Author:

Guadalupe Moreno Armanta Ma.,Reyes-Serrato Armando

Publisher

Elsevier BV

Subject

Computational Mathematics,General Physics and Astronomy,Mechanics of Materials,General Materials Science,General Chemistry,General Computer Science

Reference29 articles.

1. III–V nitride based light-emitting devices

2. P.H. Holloway, G.E. McGuire (Eds.), Handbook of Compound Semiconductors, Noyes publications, 1995

3. Thin films and devices of diamond, silicon carbide and gallium nitride

4. Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies

5. Semiconductor Materials;Berger,1997

Cited by 24 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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