Controlling the strain and light emission from Si–Si1−xGex quantum dots

Author:

Tang Y.S.,Hicks S.E.,Ni W.X.,Sotomayor Torres C.M.,Hansson G.V.,Wilkinson C.D.W.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Metals and Alloys,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Electronic, Optical and Magnetic Materials

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1. SiGe (Ge-dot) heterojunction phototransistors for efficient light detection at 1.3–;Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures;2003-03

2. Rationale and challenges for optical interconnects to electronic chips;Proceedings of the IEEE;2000-06

3. Self-Assembled Si1-x Ge x Dots and Islands;Nanostructure Science and Technology

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