Excess currents in narrow gap CdxHg1−xTe p-n junctions-Reference-Cited by-同舟云学术

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Excess currents in narrow gap CdxHg1−xTe p-n junctions

Published:1993-02 Issue:1 Volume:34 Page:37-41
ISSN:0020-0891
Container-title:Infrared Physics
language:en
Short-container-title:Infrared Physics

Author:

Bazhenov N.L.,Gasanov S.I.,Ivanov-Omskii V.I.

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference8 articles.

1. Tunneling and dark currents in HgCdTe photodiodes

2. Proc. All-Union Seminar on Multilayer Structures in Narrow Gap Semiconductors;Bazhenov,1990

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Noise spectra and dark current investigations in n+-p-type Hg1-xCdxTe (x ~0.22) photodiodes;Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics;1999-09-12

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