Hydrogen passivation tunes edge magnetism in the ZMoS2NR with a sulfur vacancy
Author:
Funder
NSFC
NSF
Publisher
Elsevier BV
Subject
General Physics and Astronomy
Reference43 articles.
1. Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides
2. Metal dichalcogenide nanosheets: preparation, properties and applications
3. Atomically ThinMoS2: A New Direct-Gap Semiconductor
4. Electronic structure of transition metal dichalcogenides monolayers 1H-MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te) from ab-initio theory: new direct band gap semiconductors
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1. Stabilization of porous borophene-graphene vertical heterostructure using unilateral hydrogenation;Materials Today Nano;2022-12
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