Silicon Epitaxial Layers: Defects

Author:

Wise R.L.,Lindberg K.J.,Dyer L.D.,Huff H.R.

Publisher

Elsevier

Reference51 articles.

1. Conditions for an oxide-free Si surface for low-temperature processing: steady-state boundary;Agnello;J. Electrochem. Soc.,1992

2. On the mechanical properties of indium antimonide;Allen;Phil. Mag,1957

3. Silicon: preparation;Benson,1992

4. Real-time inspection of wafer surfaces;Blaustein;Solid State Tech,1989

5. Epitaxial growth of silicon by chemical vapor deposition;Bloem,1985

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